• 弧形封装
  • 弧形封装3
  • 弧形封装7
  • 弧形封装
  • 弧形封装3
  • 弧形封装7

G-stack半导体激光器

高功率传导制冷半导体激光阵列

>单bar40W-300W
>总峰值功率可达10kw
>占空比可达20%
>进口芯片
>金锡封装或者软焊料封装可选
>长寿命,高可靠性
​>可在-40°C至55°C的环境中工作

产品概述:

传导制冷半导体激光器单bar功率为40W-300W,波长从808nm-9XXnm可选。单器件的总峰值功率可以高达10kW。根据客户需求的不同,封装的结构可以定制成多种多样,配合整体激光系统的安装。东方强光凭借精湛的封装工艺、灵活的定制水平以及高稳定性成功为多所院校及科研院所提供配套定制服务。


产品特征:

  • 单bar40W-300W。

  • 总峰值功率可达10kw。

  • 占空比可达20%。

  • 进口芯片。

  • 金锡封装或者软焊料封装可选。

  • 长寿命,高可靠性。

  • 可在-40°C至55°C的环境中工作。


应用领域:

  • 半导体侧面泵浦激光器

  • 科研

  • 材料加工


技术参数


型号

PCQCW/CW-100~300-N

峰值功率

100W-10000W

波长

808nm, 9XXnm

单bar功率

100W-300W

单器件bar条个数

1~40bars

封装间距

0.4mm~6mm

工作模式

CW/QCW

封装结构

弧形结构、水平结构、垂直结构